Центральне місце в цій технології займають напівпровідники n-типу та p-типу, які, створені за допомогою легування, є фундаментальними для сучасних електронних пристроїв. Напівпровідники N-типу мають надлишок електронів, тоді як напівпровідники p-типу мають надлишок «дірок», де міг би існувати електрон.7 квітня 2024 р

Визначення передачі або відключення залежить від типу транзистора: Транзистор P-типу (позначений кружечком на лінії затвора) передає, коли затвор дорівнює 0, тоді як транзистор N-типу (який не має такого кола) передає, коли затвор дорівнює 1.

PNP вмикається за слабкого сигналу, тоді як NPN вмикається за високого сигналу. У транзисторах PNP P позначає полярність виводу емітера, а N позначає полярність виводу бази. У NPN N являє собою негативно заряджене покриття матеріалу, тоді як P являє собою позитивно заряджений шар.

PNP-транзистори використовуються там, де потрібно зануритися в струм, що означає, що струм тече до колектора, як у перемикачах. Тоді як NPN-транзистори використовуються як джерело струму в приладах, що означає, що струм витікає з колектора, як у підсилювачах.

Різниця між напівпровідниками N-типу та P-типу полягає в тому основний матеріал, який використовується для створення хімічної реакції під час легування. Залежно від матеріалу, який використовується, зовнішня орбіталь матиме п’ять або три електрони, що утворюють один негативно заряджений (N-тип) і один позитивно заряджений (P-тип).

Що стосується продуктивності та ефективності, то Сонячні панелі N-типу трохи виділяються на тлі сонячних панелей p-типу. Сонячні панелі типу N мають рівень ефективності 25,7% порівняно з 23,6% панелей типу P. Відомим недоліком панелі p-типу є її деградація під впливом світла.

Працює точно протилежно транзистору N-типу. Коли на затвор подається напруга 0 вольт, ми маємо замкнутий ланцюг, як провід між джерелом і стоком. Коли на затвор подається напруга 2,9 вольт, транзистор P-типу діє як відкритий ланцюг із розірваним з’єднанням.