Біполярний транзистор (біполярний транзистор з переходом: BJT) складається з трьох напівпровідникових областей, які утворюють два переходи. Існує два види структури: npn і pnp.

Транзистори зазвичай діляться на два основних типи залежно від їх конструкції. Це два типи біполярні транзистори (BJT) і польові транзистори (FET).

BJT існують як типи PNP і NPN на основі типів легування трьох основних кінцевих областей. NPN-транзистор складається з двох напівпровідникових переходів, які мають спільну тонку ділянку з n-легуванням, а транзистор PNP складається з двох напівпровідникових переходів, які мають спільну тонку область з n-легуванням..

Види транзисторів

• Біполярний транзистор (BJT).
• Польовий транзистор (FET).

Уніполярні транзистори поділяються на два основних типи:

• Перехідний польовий транзистор (JFET) N-канальний JFET. P-канальний JFET.
• Металооксидний напівпровідниковий польовий транзистор (MOSFET) N-канальний MOSFET. P-канальний MOSFET.

Біполярний транзистор (біполярний транзистор з переходом: BJT) складається з трьох напівпровідникових областей, які утворюють два переходи. Існує два види структури: npn і pnp. Доступні вироби з npn до 800 В і pnp до -600 В.

Два основних типи, які ми називаємо "n-канальний MOS" і "p-канальний MOS" відповідно до типу легування в каналі під час інверсії (або контактів витік/сток).